Vishay SiB406EDK Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-75
- RS Stock No.:
- 165-7263
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIB406EDK-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB25,752.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB27,555.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB8.584 | THB25,752.00 |
| 6000 - 9000 | THB8.327 | THB24,981.00 |
| 12000 + | THB8.077 | THB24,231.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-7263
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIB406EDK-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SC-75 | |
| Series | SiB406EDK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 63mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 10W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.8mm | |
| Length | 1.7mm | |
| Width | 1.7 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SC-75 | ||
Series SiB406EDK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 63mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 10W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.8mm | ||
Length 1.7mm | ||
Width 1.7 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiB406EDK Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-75 SIB406EDK-T1-GE3
- Vishay Si1012CR Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 SI1032R-T1-GE3
- Vishay Si1012CR Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 SI1012CR-T1-GE3
- Vishay ThunderFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 6-Pin SC-70
- Vishay Si1416EDH Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-89
