N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V, 6-Pin PowerPAK SC-70 Vishay SIA416DJ-T1-GE3

RS Stock No.:: 165-6297
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIA416DJ-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V, 6-Pin PowerPAK SC-70 Vishay SIA416DJ-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (On a Reel of 3000)

THB9.124

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB9.763

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 15/05/2026, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อม้วน**
3000 - 3000	THB9.124	THB27,372.00
6000 - 9000	THB8.85	THB26,550.00
12000 +	THB8.585	THB25,755.00

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-6297
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIA416DJ-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	11.3 A
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Package Type	PowerPAK SC-70
Series	ThunderFET
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	6
Maximum Drain Source Resistance	130 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1.6V
Maximum Power Dissipation	19 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Length	2.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs	6.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip	1
Width	2.15mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	0.75mm

N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V, 6-Pin PowerPAK SC-70 Vishay SIA416DJ-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง