Vishay ThunderFET N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SIA416DJ-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
165-6297
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIA416DJ-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

11.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SC-70

Series

ThunderFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

130mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Maximum Power Dissipation Pd

19W

Forward Voltage Vf

850mV

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.15mm

Height

750μm

Width

2.15mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง