Vishay Si1012CR Type N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 SI1012CR-T1-GE3

RS Stock No.:: 787-9005
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI1012CR-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Si1012CR Type N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 SI1012CR-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 20 ชิ้น)*

THB140.38

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB150.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
20 - 740	THB7.019	THB140.38
760 - 1480	THB6.844	THB136.88
1500 +	THB6.738	THB134.76

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 787-9005
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI1012CR-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	630mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	Si1012CR
	Package Type	SC-75
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.1Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.3nC
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Maximum Power Dissipation Pd	240mW
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.8mm
	Length	1.68mm
	Standards/Approvals	No
	Width	0.86 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 630mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series Si1012CR
	Package Type SC-75
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.3nC
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Maximum Power Dissipation Pd 240mW
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.8mm
	Length 1.68mm
	Standards/Approvals No
	Width 0.86 mm
	Automotive Standard No

Vishay Si1012CR Type N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 SI1012CR-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง