Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF640NSTRLPBF

RS Stock No.:: 165-5658
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF640NSTRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF640NSTRLPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 1600 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,118.40

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*

THB18,628.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB19,932.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
800 - 800	THB23.285	THB18,628.00	-
1600 - 2400	THB22.586	THB18,068.80	THB1,118.40
3200 +	THB21.908	THB17,526.40	THB4,406.40

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-5658
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF640NSTRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	TO-263
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	150mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	67nC
	Maximum Power Dissipation Pd	150W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.67mm
	Height	4.83mm
	Width	9.65mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type TO-263
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 150mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 67nC
	Maximum Power Dissipation Pd 150W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.67mm
	Height 4.83mm
	Width 9.65mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 18A Maximum Continuous Drain Current, 150W Maximum Power Dissipation - IRF640NSTRLPBF

This MOSFET is essential for efficient power management across various applications, controlling electrical current flow in circuits to ensure performance and reliability. Its robust specifications make it particularly suitable for automation and electronic systems in contemporary electronics.

Features & Benefits

• N-channel configuration supports enhancement mode operation

• Maximum continuous drain current of 18A

• Peak drain-source voltage of 200V for diverse applications

• D2PAK package designed for surface mount convenience

• Low Rds(on) of 150mΩ reduces energy loss during operation

• High maximum operating temperature of +175°C for various environments

Applications

• Power management in automotive electronics

• Industrial power supplies for automation systems

• Motor control across different sectors

• Renewable energy systems for energy conversion

• High-frequency power inverter designs

What is the maximum drain-source voltage?

The maximum drain-source voltage rating is 200V, providing flexibility for high-voltage applications.

How is heat dissipation managed during operation?

This MOSFET offers a power dissipation capability of 150W, and its package design promotes effective heat management under high loads.

What are the implications of the gate threshold voltage range?

With a maximum gate threshold voltage of 4V and a minimum of 2V, it offers engineers a versatile range for switching applications.

Can this component be used in parallel configurations?

Yes, it can be easily paralleled due to its low on-resistance, making it suitable for high current applications.

How should it be soldered for optimal performance?

The soldering temperature should not exceed 300°C for 10 seconds to ensure proper installation without damaging the MOSFET.