Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET, 9.7 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF8313TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่าย
RS จะไม่สต็อกสินค้านี้อีกต่อไป
RS Stock No.:
165-5961
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF8313TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9.7 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Series

HEXFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

21.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.35V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.35V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4mm

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

6 nC @ 4.5 V

Length

5mm

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

COO (Country of Origin):
TH

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง