Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 9.7 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF520NPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB21.11

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB22.59

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 161 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 2,007 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 12THB21.11
13 - 24THB20.59
25 +THB20.28

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
541-1180
Distrelec หมายเลขบทความ:
303-41-279
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF520NPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

200mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

48W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.69 mm

Height

8.77mm

Standards/Approvals

No

Length

10.54mm

Distrelec Product Id

30341279

Automotive Standard

No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 9.7A Maximum Continuous Drain Current, 48W Maximum Power Dissipation - IRF520NPBF


This MOSFET utilises advanced HEXFET technology to provide high performance for various applications. With a continuous drain current capability of 9.7A and a maximum drain-source voltage of 100V, it is a suitable component for electronic circuits. Its enhancement mode design ensures efficient operation in diverse environments, making it a practical choice for professionals in the automation and electronics fields.

Features & Benefits


• High current capacity of 9.7A enhances performance

• Robust design ensures functionality in extreme conditions

• Low on-resistance of 200mΩ minimises power loss

• Fast switching capabilities improve efficiency

• Compatible with TO-220AB package for straightforward installation

Applications


• Power management in automation systems

• Switching in electrical circuits

• Motor drive circuits for improved efficiency

• High-frequency in electronics

How does the low on-resistance impact performance?


The low on-resistance reduces heat generation and enhances efficiency, resulting in improved overall performance in power applications by minimising energy losses.

What is the significance of the temperature range?


The wide operational temperature range ensures consistent performance in various environments, effectively accommodating both high and low temperature applications.

Can this component handle short pulses of higher current?


Yes, it can manage pulsed drain currents up to 38A, making it suitable for transient conditions in electronic circuits.

What considerations should I have when installing?


Ensure appropriate heatsinking as specified in the datasheet to manage heat dissipation effectively during operation, particularly under high load conditions.

How does the device perform under rapid switching conditions?


Its fast switching speed supports efficient operation in applications requiring quick response times, making it a versatile choice for modern electronic designs.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง