Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 9.7 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 919-4876
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF520NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 9.7 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB613.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB656.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

200 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 2,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB12.265	THB613.25
100 - 150	THB11.998	THB599.90
200 +	THB11.731	THB586.55

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 919-4876
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF520NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	9.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	200mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	25nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	48W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	4.69 mm
	Height	8.77mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.54mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 9.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 200mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 48W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 4.69 mm
	Height 8.77mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.54mm
	Automotive Standard No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 9.7A Maximum Continuous Drain Current, 48W Maximum Power Dissipation - IRF520NPBF

This MOSFET utilises advanced HEXFET technology to provide high performance for various applications. With a continuous drain current capability of 9.7A and a maximum drain-source voltage of 100V, it is a suitable component for electronic circuits. Its enhancement mode design ensures efficient operation in diverse environments, making it a practical choice for professionals in the automation and electronics fields.

Features & Benefits

• High current capacity of 9.7A enhances performance

• Robust design ensures functionality in extreme conditions

• Low on-resistance of 200mΩ minimises power loss

• Fast switching capabilities improve efficiency

• Compatible with TO-220AB package for straightforward installation

Applications

• Power management in automation systems

• Switching in electrical circuits

• Motor drive circuits for improved efficiency

• High-frequency in electronics

How does the low on-resistance impact performance?

The low on-resistance reduces heat generation and enhances efficiency, resulting in improved overall performance in power applications by minimising energy losses.

What is the significance of the temperature range?

The wide operational temperature range ensures consistent performance in various environments, effectively accommodating both high and low temperature applications.

Can this component handle short pulses of higher current?

Yes, it can manage pulsed drain currents up to 38A, making it suitable for transient conditions in electronic circuits.

What considerations should I have when installing?

Ensure appropriate heatsinking as specified in the datasheet to manage heat dissipation effectively during operation, particularly under high load conditions.

How does the device perform under rapid switching conditions?

Its fast switching speed supports efficient operation in applications requiring quick response times, making it a versatile choice for modern electronic designs.