Vishay SUD23N06-31 Type N-Channel MOSFET, 23 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 165-2431
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUD23N06-31-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB32,280.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB34,540.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 4,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB16.14 | THB32,280.00 |
| 4000 - 6000 | THB15.656 | THB31,312.00 |
| 8000 + | THB15.186 | THB30,372.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-2431
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUD23N06-31-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 23A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | SUD23N06-31 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 31mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 31.25W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | +150°C | |
| Length | 6.73mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 6.22mm | |
| Height | 2.38mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 23A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series SUD23N06-31 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 31mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 31.25W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature +150°C | ||
Length 6.73mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 6.22mm | ||
Height 2.38mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay SUD23N06-31 Series MOSFET, 60V Drain Source Voltage, 23A Continuous Drain Current - SUD23N06-31-GE3
This MOSFET is a surface-mount N-channel transistor designed to switch and control power in electronic systems. It operates at voltages up to 60V and is intended for applications requiring significant continuous current handling and moderate power dissipation in a Compact TO-252 package.
Features and Benefits:
• 23 A continuous drain current for high-current switching capability
• 31 mΩ Rds(on) for reduced conduction losses and improved efficiency
• 11 nC typical gate charge for Faster switching with lower drive requirements
• 31.25W maximum power dissipation to handle thermal stress in loaded conditions
• 20V maximum gate-source voltage for robust gate-drive headroom
• -55 °C to +150 °C operating range for wide environmental tolerance
• 31 mΩ Rds(on) for reduced conduction losses and improved efficiency
• 11 nC typical gate charge for Faster switching with lower drive requirements
• 31.25W maximum power dissipation to handle thermal stress in loaded conditions
• 20V maximum gate-source voltage for robust gate-drive headroom
• -55 °C to +150 °C operating range for wide environmental tolerance
Applications
• Suitable for DC motor drivers requiring sustained high current
• Ideal for power-conversion stages in industrial automation
• Used for load switching in power-distribution assemblies
• Can be used for switch-mode power supplies in control systems
• Ideal for power-conversion stages in industrial automation
• Used for load switching in power-distribution assemblies
• Can be used for switch-mode power supplies in control systems
What mounting style does it use and how does that affect assembly?
It is supplied in a TO-252 surface-mount package, enabling automated soldering processes and Compact PCB layouts.
How does the device handle thermal management on a PCB?
With 31.25W maximum dissipation, it requires adequate copper area or thermal vias to spread heat from the package to the board.
What gate-drive considerations are necessary for reliable operation?
Gate drive must remain within ±20V relative to source and provide sufficient charge delivery to reach the typical 11 nC gate charge for the desired switching speed.
What electrical limits must be observed during design?
Ensure that the drain-source voltage never exceeds 60V and that continuous drain current does not surpass 23 A under the intended cooling conditions.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SUD23N06-31 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SUD23N06-31-GE3
- Vishay SIA Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin SC-70 SIA4446DJ-T1-GE3
- Vishay SiR418DP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252
