Vishay SUD23N06-31 Type N-Channel MOSFET, 23 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SUD23N06-31-GE3
- RS Stock No.:
- 636-5397
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUD23N06-31-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB140.74
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB150.59
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4,545 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 495 | THB28.148 | THB140.74 |
| 500 - 995 | THB27.444 | THB137.22 |
| 1000 + | THB27.024 | THB135.12 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 636-5397
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUD23N06-31-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 23A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SUD23N06-31 | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 31mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 6.22 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 2.38mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 23A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SUD23N06-31 | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 31mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 6.22 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Height 2.38mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SUD23N06-31 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement TO-252 IRFR3410TRLPBF
- Vishay SIA Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin SC-70 SIA4446DJ-T1-GE3
- Vishay 2N7002K Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay 2N7002K Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 2N7002K-T1-GE3
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD15NF10T4
- onsemi NTD6415ANL Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 NTD6415ANLT4G
