Nexperia Type P-Channel MOSFET, -5.3 A, -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV30XPEAR
- RS Stock No.:
- 153-1886
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PMV30XPEAR
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB175.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB187.25
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | THB7.00 | THB175.00 |
| 750 - 1475 | THB6.825 | THB170.63 |
| 1500 + | THB6.721 | THB168.03 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 153-1886
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PMV30XPEAR
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -5.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -20V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 57mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 5.44W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.4 mm | |
| Length | 3mm | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -5.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -20V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 57mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 5.44W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.4 mm | ||
Length 3mm | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
20 V, P-channel Trench MOSFET, P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Trench MOSFET technology
Very fast switching
Enhanced power dissipation capability: Ptot = 980 mW
ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM
AEC-Q101 qualified
Relay driver
High-speed line driver
High-side loadswitch
Switching circuits
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia Type P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Type P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Type P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement215
- Nexperia Type P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV65XPEAR
- Nexperia Type P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV27UPEAR
- Nexperia PMV250EPEA Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23