Nexperia Type P-Channel MOSFET, -5.6 A, -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV27UPEAR

RS Stock No.:: 153-1876
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: PMV27UPEAR
ผู้ผลิต:: Nexperia

Nexperia Type P-Channel MOSFET, -5.6 A, -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV27UPEAR

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB349.675

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB374.15

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 20 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 27 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 725	THB13.987	THB349.68
750 - 1475	THB13.638	THB340.95
1500 +	THB13.427	THB335.68

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 153-1876
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: PMV27UPEAR
ผู้ผลิต:: Nexperia

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Nexperia
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	-5.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-20V
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	63mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Maximum Power Dissipation Pd	4.15W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	14.7nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1mm
	Length	3mm
	Width	1.4 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Nexperia
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id -5.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -20V
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 63mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Maximum Power Dissipation Pd 4.15W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14.7nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1mm
	Length 3mm
	Width 1.4 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

P-channel MOSFETs, The perfect fit for your design when N-channels simply aren’t suitable, Our extensive MOSFET catalog also includes many P-channel device families, based on Nexperia’s leading Trench technology. Rated from 12 V to 70 V and housed in low- and medium-power packages, they offer our familiar blend of high efficiency and high reliability.

20 V, P-channel Trench MOSFET, P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Trench MOSFET technology

Low threshold voltage

Very fast switching

Enhanced power dissipation capability: Ptot = 980 mW

ElectroStatic Discharge (ESD) protection 2 kV HBM

AEC-Q101 qualified

LED driver

Power management

High-side loadswitch

Switching circuits

Nexperia Type P-Channel MOSFET, -5.6 A, -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV27UPEAR

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง