Nexperia Type P-Channel MOSFET, -3.3 A, -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด

ตัวเลือก

สินค้านี้ไม่มีจำหน่ายในขณะนี้ ลองดูสินค้าอื่นที่เราแนะนำ

presentation
Vishay SQ2351CES Type P-Channel Single MOSFETs, -3.2 A, -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2351CES-T1_GE3
RS Stock No.
653-117

Each (On a Reel of 3000)

THB5.945

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB6.361

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

RS Stock No.:
151-3017
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
PMV65XPEAR
ผู้ผลิต:
Nexperia
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Nexperia

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-3.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-20V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

125mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Power Dissipation Pd

6.25W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3mm

Standards/Approvals

No

Height

1.1mm

Width

1.4 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Automotive MOSFETs, The world's largest portfolio of AEC-Q101 qualified power MOSFETs, An in-depth understanding of automotive system requirements and focused technical capability enables Nexperia to provide power semiconductor solutions across a wide spectrum of applications. From driving a simple lamp to the sophisticated needs of power control in engine, body or chassis applications, Nexperia Power Semiconductors can provide the answer to many automotive system power problems.

AEC-Q101 compliant

Repetitive avalanche rated

Suitable for thermally demanding environments due to 175°C rating

20 V, P-channel Trench MOSFET, P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Trench MOSFET technology

Very fast switching

Enhanced power dissipation capability: Ptot = 890 mW

ElectroStatic Discharge (ESD) protection 2 kV HBM

AEC-Q101 qualified

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง