IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH80N65X2
- RS Stock No.:
- 146-4236
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH80N65X2
- ผู้ผลิต:
- IXYS
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB12,216.66
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB13,071.84
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | THB407.222 | THB12,216.66 |
| 120 - 270 | THB395.005 | THB11,850.15 |
| 300 - 570 | THB382.788 | THB11,483.64 |
| 600 - 870 | THB374.644 | THB11,239.32 |
| 900 + | THB366.50 | THB10,995.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 146-4236
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH80N65X2
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | HiperFET | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 38mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 140nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 890W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 21.34mm | |
| Length | 16.13mm | |
| Width | 5.21 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-30-535 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series HiperFET | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 38mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 140nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 890W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 21.34mm | ||
Length 16.13mm | ||
Width 5.21 mm | ||
Distrelec Product Id 304-30-535 | ||
Automotive Standard No | ||
Low RDS(ON) and Qg
Fast body diode
dv/dt ruggedness
Avalanche rated
Low package inductance
International standard packages
Resonant mode power supplies
High intensity discharge (HID) lamp ballast
AC and DC motor drives
DC-DC converters
Robotic and servo control
Battery chargers
3-level solar inverters
LED lighting
Unmanned Aerial Vehicles (UAVs)
Higher efficiency
High power density
Easy to mount
Space savings
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- IXYS HiperFET Type N-Channel Power MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IXFA80N25X3
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET Type N-Channel Power MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH80N25X3
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH60N65X2
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 4-Pin TO-220
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 4-Pin TO-220 IXFP80N25X3