IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB354.72

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB379.55

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 270 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 7THB354.72
8 - 14THB345.86
15 +THB340.54

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
146-4372
Distrelec หมายเลขบทความ:
302-53-331
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IXFH60N65X2
ผู้ผลิต:
IXYS
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

HiperFET

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

108nC

Forward Voltage Vf

1.4V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

780W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

16.13mm

Width

5.21 mm

Height

21.34mm

Automotive Standard

No

Low R and Q

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Applications

Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง