IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-268

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB455.59

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB487.48

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 17 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 7THB455.59
8 - 14THB444.20
15 +THB437.38

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
146-4378
Distrelec หมายเลขบทความ:
302-53-402
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IXFT60N65X2HV
ผู้ผลิต:
IXYS
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

HiperFET

Package Type

TO-268

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

108nC

Maximum Power Dissipation Pd

780W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.4V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

5.1mm

Standards/Approvals

No

Length

16.05mm

Width

15.15 mm

Distrelec Product Id

30253402

Automotive Standard

No

Low RDS(ON) and Qg

Fast body diode

dv/dt ruggedness

Avalanche rated

Low package inductance

International standard packages

Resonant mode power supplies

High intensity discharge (HID) lamp ballast

AC and DC motor drives

DC-DC converters

Robotic and servo control

Battery chargers

3-level solar inverters

LED lighting

Unmanned Aerial Vehicles (UAVs)

Higher efficiency

High power density

Easy to mount

Space savings

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง