IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IXFA80N25X3

RS Stock No.:: 146-4231
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFA80N25X3
ผู้ผลิต:: IXYS

IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IXFA80N25X3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB13,368.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB14,303.95

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

200 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB267.364	THB13,368.20
100 - 150	THB261.551	THB13,077.55
200 +	THB255.739	THB12,786.95

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 146-4231
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFA80N25X3
ผู้ผลิต:: IXYS

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	IXYS
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	250V
	Package Type	TO-263
	Series	HiperFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	16mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	390W
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	83nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	4.83mm
	Standards/Approvals	No
	Width	11.05 mm
	Length	10.41mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand IXYS
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 250V
	Package Type TO-263
	Series HiperFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 16mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 390W
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 83nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 4.83mm
	Standards/Approvals No
	Width 11.05 mm
	Length 10.41mm
	Automotive Standard No

Lowest on-resistance RDS(ON) and gate charge Qg

Fast soft recovery body diode dv/dt ruggedness

Superior avalanche capability

International standard packages

Battery chargers for light electric vehicles

Synchronous rectiﬁcation in switching power supplies

Motor control

DC-DC converters

Uninterruptible power supplies

Electric forklifts

Class-D audio ampliﬁers

Telecom systems

High eﬃciency

High power density

Improved system reliability

Easy to design in

200 MHz/330 DMIPS, MIPS32 microAptiv core

Dual Panel Flash for live update support

12-bit, 18 MSPS, 45-channel ADC module

Memory Management Unit for optimum embedded OS execution

microMIPS mode for up to 35% code compression

CAN, UART, I2C, PMP, EBI, SQI & Analog Comparators

SPI/I2S interfaces for audio processing and playback

Hi-Speed USB Device/Host/OTG

10/100 Mbps Ethernet MAC with MII and RMII Interface

Advanced Memory Protection

2MB Flash memory (plus an additional 160 KB of Boot Flash)

640KB SRAM memory

IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IXFA80N25X3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง