IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-268 IXFT60N65X2HV
- RS Stock No.:
- 146-4235
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFT60N65X2HV
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB13,345.26
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB14,279.43
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB444.842 | THB13,345.26 |
| 60 - 90 | THB435.172 | THB13,055.16 |
| 120 + | THB425.501 | THB12,765.03 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 146-4235
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFT60N65X2HV
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | HiperFET | |
| Package Type | TO-268 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 52mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 780W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 108nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 15.15 mm | |
| Length | 16.05mm | |
| Height | 5.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series HiperFET | ||
Package Type TO-268 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 52mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 780W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 108nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 15.15 mm | ||
Length 16.05mm | ||
Height 5.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
Low RDS(ON) and Qg
Fast body diode
dv/dt ruggedness
Avalanche rated
Low package inductance
International standard packages
Resonant mode power supplies
High intensity discharge (HID) lamp ballast
AC and DC motor drives
DC-DC converters
Robotic and servo control
Battery chargers
3-level solar inverters
LED lighting
Unmanned Aerial Vehicles (UAVs)
Higher efficiency
High power density
Easy to mount
Space savings
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-268
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH60N65X2
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH80N65X2
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN170N65X2
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN150N65X2