Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET, 1.18 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS215PH6327XTSA1

RS Stock No.:: 145-9489
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS215PH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET, 1.18 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS215PH6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB9,534.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB10,200.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB3.178	THB9,534.00
6000 - 9000	THB3.083	THB9,249.00
12000 +	THB2.99	THB8,970.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 145-9489
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS215PH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SOT-23
	Series	OptiMOS P
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	280mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.6nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	500mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12 V
	Forward Voltage Vf	-1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.9mm
	Height	1mm
	Width	1.3 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SOT-23
	Series OptiMOS P
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 280mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.6nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 500mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V
	Forward Voltage Vf -1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.9mm
	Height 1mm
	Width 1.3 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

Enhancement mode

Avalanche rated

Low switching and conduction power losses

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Standard packages

OptiMOS™ P-Channel Series: Temperature range from -55°C to +175°C

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET, 1.18 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS215PH6327XTSA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง