Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET, 1.6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS308PEH6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 750 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB127.50

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*

THB341.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB365.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีสต็อกจำกัด
  • 150 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
การประหยัด
50 - 700THB6.82THB341.00-
750 - 1450THB6.65THB332.50THB127.50
1500 +THB6.547THB327.35THB409.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
823-5500
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-44-428
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSS308PEH6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-23

Series

OptiMOS P

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

130mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5nC

Forward Voltage Vf

-0.8V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.9mm

Height

1mm

Width

1.3mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon OptiMOS P Series MOSFET, 30V Maximum Drain Source Voltage, 130mΩ Maximum Drain Source Resistance - BSS308PEH6327XTSA1


This MOSFET is a P-channel enhancement device designed for surface-mount switching and control in compact electronic assemblies. It operates across a wide temperature range suitable for demanding environments and is built to function where low-voltage, moderate-current switching is required. The device is supplied in a SOT-23 package and is compatible with automotive-grade applications.

Features and Benefits:


• Low on-resistance of 130 mΩ reduces conduction losses
• Rated for 30V drain-source withstand for low-voltage systems
• Continuous drain current of 1.6A supports moderate loads
• Typical gate charge of 5 nC enables faster gate switching
• Maximum gate-source voltage of 20V allows robust drive margins
• Power dissipation capacity of 500 mW aids thermal management

Applications


• Suitable for load disconnect in 12V automotive systems
• Ideal for battery protection and power-path control
• Used with DC-DC converter input-stage switching
• Can be used for signal-level power switching in modules
• Appropriate for compact surface-mount power boards

What thermal extremes can it tolerate in operation?


It is specified to operate down to -55 °C and up to 150 °C, allowing use in environments with wide thermal variation.

What package and mounting method does it use?


It is supplied in a SOT-23 package designed for surface mounting on PCB assemblies.

How does the device behave regarding gate-drive design?


With a maximum VGS rating of 20V and a typical gate charge of 5 nC, it requires modest drive capability and fast gate drivers to achieve rapid switching.

Is the device suitable for automotive qualification requirements?


It conforms to AEC‑Q101 standards, making it acceptable for many automotive electronic designs.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง