Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS806NEH6327XTSA1

RS Stock No.:: 165-5871
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS806NEH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS806NEH6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB9,492.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB10,155.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 9,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB3.164	THB9,492.00
6000 - 9000	THB3.069	THB9,207.00
12000 +	THB2.977	THB8,931.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-5871
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS806NEH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SOT-23
	Series	OptiMOS 2
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	82mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Forward Voltage Vf	0.82V
	Maximum Power Dissipation Pd	500mW
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.7nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1mm
	Width	1.3 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	2.9mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SOT-23
	Series OptiMOS 2
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 82mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Forward Voltage Vf 0.82V
	Maximum Power Dissipation Pd 500mW
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.7nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1mm
	Width 1.3 mm
	Standards/Approvals No
	Length 2.9mm
	Automotive Standard AEC-Q101

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family

Infineon’s OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS806NEH6327XTSA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง