Infineon OptiMOS 2 N-Channel MOSFET, 2.5 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS205NH6327XTSA1
- RS Stock No.:
- 145-9547
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS205NH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB528.00
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB8,820.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB9,450.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB2.94 | THB8,820.00 | - |
| 6000 - 9000 | THB2.852 | THB8,556.00 | THB528.00 |
| 12000 + | THB2.766 | THB8,298.00 | THB2,088.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 145-9547
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS205NH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | OptiMOS 2 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 85mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -12V, +12V | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500mW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.3mm | |
| Width | 100μm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 2.9mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series OptiMOS 2 | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 85mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -12V, +12V | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500mW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.3mm | ||
Width 100μm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 2.9mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS™ 2 Series MOSFET, 2.5A Maximum Continuous Drain Current, 500 mW Maximum Power Dissipation - BSS205NH6327XTSA1
Features & Benefits
Applications
What kind of protection does this offer against voltage spikes?
What is the significance of the low Rds(on) in this device?
How can this be installed on a circuit board?
What are the typical switching characteristics at the rated voltage?
Is this compatible with other components in automotive circuits?
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 2 N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS205NH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS 2 N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS 2 N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS 2 N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS806NH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS 2 N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS806NEH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS 2 N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS316NH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS 2 N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 BSD214SNH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS 2 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD33CN10NGATMA1
