Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET, 2.5 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 145-9547
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS205NH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB8,316.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB8,898.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB2.772 | THB8,316.00 |
| 6000 - 9000 | THB2.689 | THB8,067.00 |
| 12000 + | THB2.608 | THB7,824.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 145-9547
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS205NH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | OptiMOS 2 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 85mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500mW | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 0.1 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.3mm | |
| Length | 2.9mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series OptiMOS 2 | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 85mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500mW | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 0.1 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.3mm | ||
Length 2.9mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS™ 2 Series MOSFET, 2.5A Maximum Continuous Drain Current, 500 mW Maximum Power Dissipation - BSS205NH6327XTSA1
This N-channel MOSFET is a VITAL component in contemporary electronic applications, especially in automation and automotive sectors. Designed for efficient switching applications, it features a Compact SOT-23 surface mount package. Its capacity to handle significant drain currents and voltages makes it suitable for industrial and automotive contexts, ensuring consistent performance.
Features & Benefits
• Maximum continuous drain current of 2.5A
• Maximum drain-source voltage of 20V
• Minimal Rds(on) of 85 mΩ enhances power efficiency
• Qualified to AEC-Q101 for automotive applications
Applications
• Used in automotive power management systems
• Suitable for DC-DC converters in electronic devices
• Employed in motor control for efficient switching
• Ideal for power amplification in RF
What kind of protection does this offer against voltage spikes?
It is avalanche rated and can handle high energy pulses, providing protection in dynamic environments.
What is the significance of the low Rds(on) in this device?
A low on-state resistance improves power loss management and enhances efficiency, making it suitable for high-efficiency applications.
How can this be installed on a circuit board?
It can be soldered onto a PCB in the SOT-23 package, ensuring secure mounting for surface-mount technology applications.
What are the typical switching characteristics at the rated voltage?
The device displays quick turn-on and turn-off times, improving switching efficiency in high-speed applications.
Is this compatible with other components in automotive circuits?
Yes, it meets automotive standards and functions effectively with various devices in power management circuits.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS205NH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS316NH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS806NH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS806NEH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 BSD214SNH6327XTSA1
