Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET, 1.4 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-70 BSS816NWH6327XTSA1

RS Stock No.:: 110-7113
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS816NWH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET, 1.4 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-70 BSS816NWH6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 300 ชิ้น)*

THB1,349.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,443.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 31,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
300 - 600	THB4.498	THB1,349.40
900 - 1200	THB4.386	THB1,315.80
1500 +	THB4.318	THB1,295.40

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 110-7113
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS816NWH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SC-70
	Series	OptiMOS 2
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	240mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	500mW
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.6nC
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Height	0.8mm
	Length	2mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SC-70
	Series OptiMOS 2
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 240mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 500mW
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.6nC
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Height 0.8mm
	Length 2mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Infineon OptiMOS 2 Series MOSFET, 20V Maximum Drain Source Voltage, 1.4A Maximum Continuous Drain Current - BSS816NWH6327XTSA1

This MOSFET is a compact N‑channel enhancement device designed for low-voltage switching in automotive and industrial electronic systems. It operates across an extended temperature range and is intended for surface-mount applications where a small footprint and modest power handling are required.

Features and Benefits:

• Low on-resistance 240 mΩ reduces conduction losses and heat
• Maximum drain current 1.4A enables moderate load switching
• Drain-source voltage rating 20V supports typical automotive rails
• Gate charge 0.6 nC allows faster gate drive and reduced switching loss
• Power dissipation 500 mW permits sustained operation under light load
• Gate-source limit 8V protects against excessive drive voltages

Applications

• Suitable for switch stages in automotive sensor modules
• Ideal for load switching in 12V auxiliary circuits
• Used with battery-management peripherals requiring a small footprint
• Can be used for signal‑level power control in infotainment systems
• Applicable to compact motor‑drive gate stages for low currents

What package suits high-density board layouts?

It is supplied in an SC-70 surface-mount package that minimises board area and supports automated placement.

How does it perform in elevated ambient temperatures?

The device is specified for operation from -40 °C up to 175 °C, allowing use in harsh thermal environments typical of under‑bonnet automotive locations.

What drive voltage range should be applied to the gate?

The maximum permissible gate‑to‑source voltage is 8V, so gate drivers should be selected to remain within this limit.

How does the device balance switching speed and gate drive energy?

With a typical gate charge of 0.6 nC it requires relatively low energy to switch, aiding efficiency in systems with repetitive transitions.