ROHM Single RQ3L050GN 1 N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT RQ3L050GNTB

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
133-3297
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
RQ3L050GNTB
ผู้ผลิต:
ROHM
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

ROHM

Transistor Configuration

Single

Series

RQ3L050GN

Number of Elements per Chip

1

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

12 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

60 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

8

Package Type

HSMT

Forward Voltage (Vf)

1.2 V

Height

850 μm

Length

3.3 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

86 mΩ

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

20 V, -20 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

14.8 W

Mount Type

Surface

Width

3.1 mm

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM


MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง