ROHM RQ3 Type P-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3L120BJFRATCB
- RS Stock No.:
- 265-252
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RQ3L120BJFRATCB
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB233.55
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB249.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 60 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | THB23.355 | THB233.55 |
| 100 - 240 | THB22.167 | THB221.67 |
| 250 - 490 | THB20.535 | THB205.35 |
| 500 - 990 | THB18.902 | THB189.02 |
| 1000 + | THB18.209 | THB182.09 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 265-252
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RQ3L120BJFRATCB
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | RQ3 | |
| Package Type | HSMT-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 106mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15.7nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 40W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series RQ3 | ||
Package Type HSMT-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 106mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15.7nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 40W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM Automotive grade MOSFET is an ideal solution for Advanced Driver Assistance Systems, infotainment, lighting and body applications. Its robust construction ensures reliable operation in demanding automotive environments. Realization of high mounting reliability by original terminal and plating treatment.
RoHS compliant
AEC Q101 Qualified
Small high powered package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RQ3 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3G120BJFRATCB
- ROHM RQ3 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3G270BJFRATCB
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3L120BKFRATCB
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3L070BGTB1
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 8-Pin HSMT-8 RQ3L060BGTB1
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3P270BKFRATCB
- ROHM HT8MB5 Type N 40 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8MB5TB1
- ROHM RH Type P-Channel MOSFET 80 V Depletion, 8-Pin HSMT-8 RH6N040BHTB1