ROHM HT8KE6 2 Type N-Channel MOSFET Arrays, 12.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KE6HTB1
- RS Stock No.:
- 646-615
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- HT8KE6HTB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB312.89
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB334.79
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | THB31.289 | THB312.89 |
| 100 - 490 | THB27.526 | THB275.26 |
| 500 - 990 | THB24.704 | THB247.04 |
| 1000 + | THB19.556 | THB195.56 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 646-615
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- HT8KE6HTB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET Arrays | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | HT8KE6 | |
| Package Type | HSMT-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 14W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, Halogen Free, Pb Free | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET Arrays | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series HT8KE6 | ||
Package Type HSMT-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 14W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, Halogen Free, Pb Free | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Power MOSFET with low on resistance and High power small mould package suitable for Switching and Motor drives applications.
Pb free plating
RoHS compliant
Halogen Free
100% Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM HP8 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KC5TB1
- ROHM HT8K 2 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KE6TB1
- ROHM HT8K 2 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KE5TB1
- ROHM HT8 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KC6TB1
- ROHM RH6 1 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RH6L040BGTB1
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3L070BGTB1
- ROHM R65 1 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RH6E040BGTB1
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 8-Pin HSMT-8 RQ3L060BGTB1
