ROHM RH6 1 Type N-Channel MOSFET, 65 A, 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RH6L040BGTB1

RS Stock No.:: 264-934
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: RH6L040BGTB1
ผู้ผลิต:: ROHM

ROHM RH6 1 Type N-Channel MOSFET, 65 A, 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RH6L040BGTB1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*

THB333.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB356.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

3,020 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
10 - 90	THB33.35	THB333.50
100 - 240	THB31.668	THB316.68
250 - 490	THB29.342	THB293.42
500 - 990	THB27.017	THB270.17
1000 +	THB26.027	THB260.27

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	ROHM
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	65A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	RH6
	Package Type	HSMT-8
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	59W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	18.8nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Number of Elements per Chip	1

	เลือกทั้งหมด
	Brand ROHM
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 65A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series RH6
	Package Type HSMT-8
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 59W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18.8nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Number of Elements per Chip 1

ROHM RH6 1 Type N-Channel MOSFET, 65 A, 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RH6L040BGTB1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง