ROHM R65 1 Type N-Channel MOSFET, 125 A, 30 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RH6E040BGTB1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*

THB342.41

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB366.38

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
10 - 90THB34.241THB342.41
100 - 240THB32.509THB325.09
250 - 490THB30.134THB301.34
500 - 990THB27.759THB277.59
1000 +THB26.72THB267.20

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
265-310
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
RH6E040BGTB1
ผู้ผลิต:
ROHM
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

125A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

R65

Package Type

HSMT-8

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30.0nC

Maximum Power Dissipation Pd

78W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Number of Elements per Chip

1

The ROHM Power MOSFET features low on resistance and is housed in a compact, high power small mould package. It is well suited for a variety of applications, including switching, motor drives, and DC/DC converters, delivering efficient performance in space-constrained environments.

Pb free plating

RoHS compliant

High power small mould package

Low on resistance

100 percent Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง