ROHM R65 1 Type N-Channel MOSFET, 125 A, 30 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RH6E040BGTB1
- RS Stock No.:
- 265-310
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RH6E040BGTB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB514.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB550.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 90 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | THB51.40 | THB514.00 |
| 100 - 240 | THB48.799 | THB487.99 |
| 250 - 490 | THB45.234 | THB452.34 |
| 500 - 990 | THB41.669 | THB416.69 |
| 1000 + | THB40.109 | THB401.09 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 265-310
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RH6E040BGTB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 125A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | R65 | |
| Package Type | HSMT-8 | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 78W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 30.0nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 125A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series R65 | ||
Package Type HSMT-8 | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 78W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30.0nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
The ROHM Power MOSFET features low on resistance and is housed in a compact, high power small mould package. It is well suited for a variety of applications, including switching, motor drives, and DC/DC converters, delivering efficient performance in space-constrained environments.
Pb free plating
RoHS compliant
High power small mould package
Low on resistance
100 percent Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RH6 1 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RH6L040BGTB1
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3L070BGTB1
- ROHM HT8KE6 2 Type N-Channel MOSFET Arrays 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KE6HTB1
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 8-Pin HSMT-8 RQ3L060BGTB1
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3P270BKFRATCB
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3L120BKFRATCB
- ROHM HP8 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KC5TB1
- ROHM HT8K 2 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KE6TB1