Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 2.8 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

RS Stock No.:: 168-8748
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLL014NTRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 2.8 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB22,400.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB23,975.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB8.96	THB22,400.00
5000 - 7500	THB8.691	THB21,727.50
10000 +	THB8.43	THB21,075.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 168-8748
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLL014NTRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Series	HEXFET
	Package Type	SOT-223
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	280mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	2.1W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	9.5nC
	Forward Voltage Vf	1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	6.7mm
	Height	1.739mm
	Width	3.7 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Series HEXFET
	Package Type SOT-223
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 280mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 2.1W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.5nC
	Forward Voltage Vf 1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 6.7mm
	Height 1.739mm
	Width 3.7 mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Infineon HEXFET Series MOSFET, 2.8A Maximum Continuous Drain Current, 2.1W Maximum Power Dissipation - IRLL014NTRPBF

This MOSFET from Infineon, part of the HEXFET family, is engineered for high performance in various electrical and electronic applications. As an N-channel device operating in enhancement mode, it plays a VITAL role in power management for devices that demand high reliability in challenging conditions. Advanced technologies are integrated to manage substantial electrical loads effectively while keeping a Compact design.

Features & Benefits

• Maximum continuous drain current of 2.8A for dependable performance

• Wide voltage range up to 55V for diverse applications

• Low drain-source on-resistance of 280mΩ minimises power losses

• High thermal stability with a maximum operating temperature of +150°C

• Enhanced gate threshold voltage options to improve switching capabilities

• Designed for surface mount applications, aiding PCB integration

Applications

• Utilised in automation systems for effective motor control

• Employed in power supply circuits for efficient voltage regulation

• Suitable for switching in electronic devices

• Integrated into battery management systems for optimised energy use

• Applicable in LED drivers to enhance control efficiency

What is the recommended mounting technique for optimal performance?

Utilising surface mount techniques ensures improved thermal performance and space efficiency on printed circuit boards.

How should the maximum gate-source voltage be considered when designing circuits?

It is important to maintain the gate-source voltage within the specified limits of -16V to +16V to ensure device integrity and performance.

Can this component handle high temperatures in operational environments?

It is rated for operation in environments up to +150°C, making it suitable for high-temperature applications.

Is it compatible with low-voltage battery systems?

Yes, it can manage low-voltage applications while providing effective power control and switching efficiency.