Vishay SUD50P04-08 Type P-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SUD50P04-08-GE3
- RS Stock No.:
- 121-9658
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUD50P04-08-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB351.03
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB375.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 กรกฎาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 495 | THB70.206 | THB351.03 |
| 500 - 995 | THB68.458 | THB342.29 |
| 1000 + | THB67.402 | THB337.01 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
ตัวเลือก
สินค้านี้ไม่มีจำหน่ายในขณะนี้ ลองดูสินค้าอื่นที่เราแนะนำ
Each: (In a Pack of 5)
THB355.94
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB380.86
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
- RS Stock No.:
- 121-9658
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUD50P04-08-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | SUD50P04-08 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 106nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 73.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | -0.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 2.38mm | |
| Width | 6.22mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series SUD50P04-08 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 106nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 73.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf -0.8V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Height 2.38mm | ||
Width 6.22mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SUD50P04-08 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SUD50P04-08-GE3
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P4L11ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P413ATMA2
- DiodesZetex DMP Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin TO-252 DMPH4023SK3-13
- DiodesZetex DMP Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin TO-252
- Vishay SUD50P06-15 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SUD50P06-15-GE3
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060-8 DMPH4015SPSQ-13
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR401DP-T1-GE3