Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET, 310 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-70 BSS223PWH6327XTSA1
- RS Stock No.:
- 165-5861
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS223PWH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB7,080.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB7,590.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB2.36 | THB7,080.00 | - |
| 6000 - 9000 | THB2.289 | THB6,867.00 | 3% |
| 12000 + | THB2.22 | THB6,660.00 | 5% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-5861
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS223PWH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 310mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SC-70 | |
| Series | OptiMOS P | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.1Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -12V, +12V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250mW | |
| Forward Voltage Vf | -1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.25mm | |
| Length | 2mm | |
| Height | 800μm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 310mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SC-70 | ||
Series OptiMOS P | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.1Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -12V, +12V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250mW | ||
Forward Voltage Vf -1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.25mm | ||
Length 2mm | ||
Height 800μm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS P Series MOSFET, 310 mA Maximum Continuous Drain Current, 250 mW Maximum Power Dissipation - BSS223PWH6327XTSA1
Features & Benefits
Applications
What is the maximum current the component can handle?
How is this component optimised for high-temperature environments?
What type of mounting does this transistor accommodate?
Does it comply with any automotive standards?
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-70
- Nexperia 2N7002BKW N-Channel MOSFET 60 V Enhancement115
- Nexperia 2N7002PW N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SC-70
- Nexperia 2N7002PW N-Channel MOSFET 60 V Enhancement115
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 700 mA 6-Pin SC-70-6 SI1553CDL-T1-GE3
- DiodesZetex DMG1013UW Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-70
- DiodesZetex DMG1013UW Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-70 DMG1013UW-7
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 ZVP2110GTA
