Microchip MSCSMC N-Channel MOSFET Modules, 236 A, 1.2 kV Enhancement Mode, 33-Pin Module MSCSMC120AM04TBZ2EG

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB5,580.71

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB5,971.36

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB5,580.71

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
931-017
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
MSCSMC120AM04TBZ2EG
ผู้ผลิต:
Microchip
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Microchip

Product Type

MOSFET Modules

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

236A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Series

MSCSMC

Package Type

Module

Mount Type

Direct

Pin Count

33

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.5mΩ

Channel Mode

Enhancement Mode

Forward Voltage Vf

4.7V

Maximum Power Dissipation Pd

604W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

21V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

726nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

16.4mm

Length

56.7mm

Standards/Approvals

No

Width

62.8mm

Automotive Standard

No

The Microchip Advanced silicon carbide power module delivers exceptional performance in high-efficiency applications, particularly in demanding environments requiring robust power management and thermal capabilities.

SiC technology ensures low switching and conduction losses

Integrated thermistor facilitates effective temperature monitoring

Low thermal resistance allows efficient heat dissipation

Ultra low weight and profile contribute to design flexibility

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง