Microchip Half Bridge mSiC N channel-Channel SiC Power Module, 295 A, 3300 V Enhancement Mode MSCSM330DUM07CD3NG

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB38,409.14

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB41,097.78

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB38,409.14

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
854-514
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
MSCSM330DUM07CD3NG
ผู้ผลิต:
Microchip
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Microchip

Channel Type

N channel

Product Type

SiC Power Module

Maximum Continuous Drain Current Id

295A

Maximum Drain Source Voltage Vds

3300V

Series

mSiC

Mount Type

Heatsink

Channel Mode

Enhancement Mode

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

1918W

Transistor Configuration

Half Bridge

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Microchip silicon carbide power module combines dual common source functionality with high voltage capabilities, designed for efficient operation and superior performance in demanding applications.

Low R DS(on) ensures minimal power loss

Temperature-independent switching behaviour enhances reliability

Copper baseplate provides excellent thermal management

RoHS compliant for environmentally friendly operations