Microchip Half Bridge Phase Leg SiC MOSFET N channel-Channel MOSFET Modules, 266 A, 1200 V Enhancement

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB5,887.32

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB6,299.43

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB5,887.32

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
931-018
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
MSCSMC120AM04TBZ2AEG
ผู้ผลิต:
Microchip
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Microchip

Product Type

MOSFET Modules

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

266A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

Phase Leg SiC MOSFET

Mount Type

Direct Mount

Maximum Drain Source Resistance Rds

6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

23V

Maximum Power Dissipation Pd

766W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

726nC

Forward Voltage Vf

4.7V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Transistor Configuration

Half Bridge

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Microchip Advanced power module offers a highly efficient phase leg solution, designed specifically for demanding applications where reliability and performance are critical.

Utilises Silicon Carbide technology for reduced energy loss

Features low R over temperature drift, ensuring stable operation

Incorporates an internal thermistor for precise temperature oversight

Delivers outstanding performance in high-frequency environments

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง