Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 9 A, 60 V Enhancement, 6-Pin PowerPAK SIA4620DJ-T1-GE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB14.73

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB15.76

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 24THB14.73
25 - 99THB9.50
100 +THB5.70

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
904-973
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIA4620DJ-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.023Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

17.9W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.4nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

ROHS

Length

2.05mm

Width

2.05mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay N-Channel MOSFET designed for efficient power management. It excels in various applications due to its high performance metrics and Compact packaging, making it Ideal for modern electronic designs.

Operates at a maximum drain-source voltage of 60 V

Features low on-state resistance for enhanced efficiency

Offers a continuous drain current up to 8.6 A at 25 °C

Includes extensive testing for reliability and performance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง