Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 266 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SQJ140EP-T1_NE3
- RS Stock No.:
- 904-969
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ140EP-T1_NE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก
เพิ่มอีก 10 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 34%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB53.22
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB56.95
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน | การประหยัด |
|---|---|---|
| 1 - 9 | THB53.22 | - |
| 10 - 24 | THB34.69 | 34% |
| 25 - 99 | THB20.43 | 61% |
| 100 - 499 | THB19.96 | 62% |
| 500 + | THB19.48 | 63% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 904-969
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ140EP-T1_NE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 266A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0021Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 49.2nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 263W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | ROHS | |
| Width | 4.9mm | |
| Length | 6.15mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 266A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0021Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 49.2nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 263W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals ROHS | ||
Width 4.9mm | ||
Length 6.15mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- GB
The Vishay power MOSFET provides reliable switching performance and efficient operation for automotive applications and demanding environments, ensuring optimal power management and enhanced device longevity.
AEC-Q101 qualified for automotive applications
TrenchFET Gen IV technology optimises switching characteristics
Low on-state resistance enhances overall efficiency
Wide operational temperature range of -55 to +175 °C
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQJ140EP N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ140EP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SQJ951EP-T1_NE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS486CENW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS136ELNW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS136ENW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SI7116BDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5408DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5402DP-T1-UE3