Vishay SiSS N-Channel MOSFET, 50.3 A, 80 V N, 8-Pin 1212-8S SISS32ADN-T1-UE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 10 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 34%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB79.84

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB85.43

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 ธันวาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
การประหยัด
1 - 9THB79.84-
10 - 24THB52.1634%
25 - 99THB30.8761%
100 - 499THB29.8162%
500 +THB29.2863%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
878-901
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SISS32ADN-T1-UE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

50.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SiSS

Package Type

1212-8S

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0087Ω

Channel Mode

N

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.4mm

Height

830μm

Standards/Approvals

RoHS

Width

3.4mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay semiconductor is a robust N-Channel MOSFET designed for efficient power management, featuring low on-state resistance and enhanced thermal performance for demanding operational environments.

TrenchFET Gen IV technology offers superior efficiency

Very low RDS(on) reduces power loss during operation

Gate-source threshold voltage guarantees reliable switching

Extensive temperature range ensures operation in various conditions

Package design allows for simplified integration in circuit layouts

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง