Vishay SISS Type N-Channel MOSFET, 128 A, 40 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS4402DN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 4 ชิ้น)*

THB300.332

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB321.356

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
4 - 56THB75.083THB300.33
60 - 96THB70.408THB281.63
100 - 236THB62.518THB250.07
240 - 996THB61.35THB245.40
1000 +THB60.18THB240.72

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
279-9986
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SISS4402DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

128A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

1212-8S

Series

SISS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0022Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง