Vishay S Series N-Channel MOSFET, 27 A, 650 V N, 3-Pin TO-220 SIHP135N65S-GE3
- RS Stock No.:
- 878-899
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHP135N65S-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB91.26
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB97.65
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB91.26 |
| 10 - 24 | THB86.70 |
| 25 - 99 | THB78.03 |
| 100 - 499 | THB66.33 |
| 500 + | THB53.06 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 878-899
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHP135N65S-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 27A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | S Series | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.121Ω | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 255W | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 27A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series S Series | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.121Ω | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 255W | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay power MOSFET designed for optimal performance in server and telecom power supply applications, providing enhanced efficiency and reliability under demanding operational conditions.
Utilises the latest SF series technology for improved functionality
Offers low figure of merit, reducing power loss during operation
Avalanche energy-rated, ensuring high reliability in transient conditions
Halogen-free and lead-free construction aligns with environmental standards
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay S N-Channel MOSFET 650 V N, 3-Pin TO-263 SIHB135N65S-GE3
- Vishay E Series N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG026N65E-GE3
- Vishay E Series N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB240N65E-GE3
- Vishay E Series N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG100N65E-GE3
- Vishay SF Series N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG041N65SF-GE3
- Vishay S N-Channel MOSFET 650 V N, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK135N65S-T1-GE3
- Vishay E Series N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AD SIHW040N65E-GE3
- Vishay SF Series N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP110N65SF-GE3