Vishay S N-Channel MOSFET, 27 A, 650 V N, 3-Pin TO-263 SIHB135N65S-GE3
- RS Stock No.:
- 878-897
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHB135N65S-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB82.69
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB88.48
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 26 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB82.69 |
| 10 - 24 | THB53.70 |
| 25 - 99 | THB31.84 |
| 100 - 499 | THB30.89 |
| 500 + | THB30.41 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 878-897
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHB135N65S-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 27A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | S | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.121Ω | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 255W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 27A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series S | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.121Ω | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 255W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay power MOSFET delivers exceptional performance for energy-efficient applications. Specifically designed for demanding power management, it ensures minimal losses during operation, enhancing overall system reliability and efficiency.
Utilises the latest SF series technology for cutting-edge efficiency
Exhibits low figure of merit, significantly reducing power dissipation
Offers lower effective capacitance for improved switching performance
Avalanche energy rated to withstand harsh conditions
Single configuration optimises space and simplifies design
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay S Series N-Channel MOSFET 650 V N, 3-Pin TO-220 SIHP135N65S-GE3
- Vishay S N-Channel MOSFET 650 V N, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK135N65S-T1-GE3
- Vishay SiR416DP N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR416DP-T1-GE3
- Vishay E Series N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB240N65E-GE3
- Vishay E N-Channel Power MOSFET 650 V, 3-Pin TO-263 SIHB24N65E-GE3
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 650 V N, 3-Pin TO-220
- onsemi NTH N-Channel MOSFET 650 V N, 3-Pin TO-247-4L NTHL032N065M3S
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 650 V N, 3-Pin TO-220 IPA65R1K0CEXKSA1