Vishay SF Series N channel-Channel MOSFET, 33 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP110N65SF-GE3
- RS Stock No.:
- 735-263
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHP110N65SF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB179.71
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB192.29
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB179.71 |
| 10 - 49 | THB111.39 |
| 50 - 99 | THB86.14 |
| 100 + | THB58.42 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 735-263
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHP110N65SF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 33A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | SF Series | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.115Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 83nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 313W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 33A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series SF Series | ||
Package Type TO-220AB | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.115Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 83nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 313W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
The Vishay Power MOSFET is designed for efficient energy handling in Advanced electronic systems. with low effective capacitance, it minimizes switching and conduction losses, ensuring improved performance and reliability. its avalanche energy rating and eco-friendly compliance make it a robust and sustainable choice for modern applications.
Reduces switching and conduction losses for better performance
Offers avalanche energy rating for durability
Ensures low figure of merit for optimized design
Maintains RoHS compliance for environmental standards
Delivers halogen-free construction for safer usage
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SF Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG110N65SF-GE3
- Vishay SF Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG080N65SF-GE3
- Vishay SF Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG050N65SF-GE3
- Vishay SF Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG041N65SF-GE3
- Vishay SF Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-220 FullPAK SIHF110N65SF-GE3
- Vishay SF Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247AD SIHL080N65SF-GE3
- Vishay SF Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247AD SIHL041N65SF-GE3
- Vishay SF Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247AD SIHL050N65SF-GE3
