Vishay SQ N-Channel MOSFET, 130 A, 40 V N, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ144EP-T1_BE3
- RS Stock No.:
- 878-896
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ144EP-T1_BE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น, ในเทปขนาด 1)*
THB42.63
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB45.61
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 24 | THB42.63 |
| 25 - 99 | THB40.50 |
| 100 - 499 | THB36.45 |
| 500 + | THB30.98 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 878-896
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ144EP-T1_BE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 130A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PowerPAK SO-8L | |
| Series | SQ | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0046Ω | |
| Channel Mode | N | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 26nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 148W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 6.25mm | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 1.1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 130A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PowerPAK SO-8L | ||
Series SQ | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0046Ω | ||
Channel Mode N | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 148W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 6.25mm | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 1.1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
The Vishay automotive N-Channel MOSFET designed for high-performance switching applications, offering robust capabilities for various demanding environments. With a Compact PowerPAK SO-8L package, it ensures efficient power management.
TrenchFET Gen IV technology optimises switching characteristics
AEC-Q101 qualified for automotive reliability and performance
100% R and UIS tested for enhanced durability
Minimum on-state drain-source resistance of 0.0046 Ohm at 10 V
High continuous drain current rating of up to 130 A
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQ N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ138EP-T1_NE3
- Vishay SQ N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3426CEV-T1_GE3
- Vishay SQ N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2348CES-T1_GE3
- Vishay SQ N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3456CEV-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel Automotive MOSFET 80 V MOSFET, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ183ELP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK SQJA36EP-T1_BE3
- Vishay SQS840CENW N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQS840CENW-T1_BE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L
