Vishay SQS840CENW N channel-Channel MOSFET, 12 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQS840CENW-T1_BE3
- RS Stock No.:
- 735-127
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQS840CENW-T1_BE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB24.75
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB26.48
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 21 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 24 | THB24.75 |
| 25 - 99 | THB16.34 |
| 100 + | THB8.42 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 735-127
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQS840CENW-T1_BE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | SQS840CENW | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8W | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.02Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 33W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 3.3mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series SQS840CENW | ||
Package Type PowerPAK 1212-8W | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.02Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 33W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 3.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 3.3mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
The Vishay Power MOSFET offers efficient, high-performance switching functionality tailored for automotive applications, delivering reliable operation under challenging conditions.
TrenchFET technology ensures excellent thermal performance
AEC-Q101 qualified for stringent automotive standards
Low on-resistance supports high current efficiency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQS484CENW N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQS484CENW-T1_BE3
- Vishay SQS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQSA82CENW-T1_GE3
- Vishay SQS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQS460CENW-T1_GE3
- Vishay Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W
- Vishay Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQS405CENW-T1_GE3
- Vishay SiS N channel-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSD5300DN
- Vishay SiS N channel-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSD5110DN
- Vishay SiS N channel-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSD5806DN