Vishay SQ N-Channel MOSFET, 330 A, 40 V N, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ138EP-T1_NE3
- RS Stock No.:
- 878-895
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ138EP-T1_NE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB64.15
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB68.64
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB64.15 |
| 10 - 24 | THB41.51 |
| 25 - 99 | THB24.80 |
| 100 - 499 | THB24.26 |
| 500 + | THB23.73 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 878-895
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ138EP-T1_NE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 330A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | SQ | |
| Package Type | PowerPAK SO-8L | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.028Ω | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 312W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 6.25mm | |
| Length | 5mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 330A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series SQ | ||
Package Type PowerPAK SO-8L | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.028Ω | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 312W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 6.25mm | ||
Length 5mm | ||
Height 1.1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- GB
The Vishay automotive N-Channel MOSFET specifically designed to efficiently handle varying voltage applications, ensuring robust performance in demanding conditions, including high temperatures.
TrenchFET Gen IV technology optimises switching characteristics and efficiency
Rated for a maximum drain-source voltage of 40 V, providing versatile application potential
Features a low on-state resistance of 0.0018 Ohm at 10 V, ensuring minimal power loss
AEC-Q101 qualified, guaranteeing reliability in automotive environments
100% R and UIS tested, ensuring high quality and reliability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQ N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ144EP-T1_BE3
- Vishay SQ N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3426CEV-T1_GE3
- Vishay SQ N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2348CES-T1_GE3
- Vishay SQ N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3456CEV-T1_GE3
- Vishay SQJ138EP N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ138EP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel Automotive MOSFET 80 V MOSFET, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ183ELP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIRS4614EPW-T1-RE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L
