Vishay SQ Type N-Channel MOSFET, 8 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2348CES-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 280-0009
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ2348CES-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB17,454.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB18,675.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB5.818 | THB17,454.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 280-0009
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ2348CES-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | SQ | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.042Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.81V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 3.04mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series SQ | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.042Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.81V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 3.04mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay Automotive MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
100 percent Rg and UIS tested
AEC-Q101 qualified
Fully lead (Pb)-free device
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQ Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2348CES-T1_GE3
- Vishay SQ Type P-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2309CES-T1_GE3
- Vishay SQ Type P-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2361ES-T1_GE3
- Vishay SQ Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3456CEV-T1_GE3
- Vishay SQ Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3426CEV-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4850EY-T1_GE3
