Vishay TrenchFET N-Channel Power MOSFET, 63 A, 650 V, 8-Pin PowerPAK SIHK031N60AE-T1GE3
- RS Stock No.:
- 851-497
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHK031N60AE-T1GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB336.93
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB360.52
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB336.93 |
| 10 - 49 | THB209.10 |
| 50 - 99 | THB126.88 |
| 100 + | THB123.56 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 851-497
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHK031N60AE-T1GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 63A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.04Ω | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.05mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 Qualified | |
| Height | 1.04mm | |
| Width | 5.25mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 63A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.04Ω | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.05mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 Qualified | ||
Height 1.04mm | ||
Width 5.25mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- KR
The Vishay power MOSFET designed for high-performance switching applications, offering effective management of electrical loads with superior efficiency and low energy losses.
Utilises fourth generation E series technology for enhanced performance
Offers low on-state resistance, reducing energy dissipation
Capable of handling high effective capacitance for reliable operation
Provides significant reduction in both switching and conduction losses
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET N-Channel Power MOSFET 650 V, 8-Pin PowerPAK SIHL033N60SF-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel Power MOSFET 80 V N, 8-Pin PowerPAK SIRS5800LEPW-T1RE3
- Vishay EF N-Channel Power MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK055N60EF-T1GE3
- Vishay EF N-Channel Power MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK075N60EF-T1GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 60 V N, 8-Pin PowerPAK SIHH150N60E-T1-FE3
- Vishay TrenchFET N-Channel Power MOSFET 70 V N, 8-Pin PowerPAK SISS178LDN-T1-BE3
- Vishay TrenchFET N-Channel Power MOSFET 70 V N, 8-Pin PowerPAK SISS176LDN-T1-BE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK SIHG033N60SF-GE3