Vishay MXP120A N channel-Channel MOSFET, 36 A, 1.2 kV Enhancement, 4-Pin TO-247AD MXP120A160SL-GE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 10 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 38%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB328.85

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB351.87

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 07 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
การประหยัด
1 - 9THB328.85-
10 - 49THB203.8738%
50 - 99THB123.5662%
100 +THB120.7163%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
847-940
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
MXP120A160SL-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

36A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Package Type

TO-247AD

Series

MXP120A

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

160mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22V

Maximum Power Dissipation Pd

109W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

4.7V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

5.21mm

Width

16.13mm

Length

23.6mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay N-Channel SiC MOSFET delivers high efficiency and Rapid performance, making it Ideal for demanding applications in power management and energy control systems.

Fast switching speed optimises overall system performance

Short circuit withstand time of 2.5 μs enhances reliability

Rated for a maximum drain-source voltage of 1200 V ensures robust operation

Continuous drain current rating of 18 A supports extensive operational requirements

Minimal on-state resistance measured at 160 mOhm reduces energy loss

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง