Vishay MXP120A N channel-Channel MOSFET, 61 A, 1.2 kV Enhancement, 4-Pin TO-247AD MXP120A250SE-T1GE3
- RS Stock No.:
- 847-941
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MXP120A250SE-T1GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก
เพิ่มอีก 10 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB945.70
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB249.49
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB266.95
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 07 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | การประหยัด |
|---|---|---|
| 1 - 9 | THB249.49 | - |
| 10 - 49 | THB154.92 | THB945.70 |
| 50 - 99 | THB93.62 | THB7,793.50 |
| 100 + | THB91.72 | THB15,777.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 847-941
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MXP120A250SE-T1GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 61A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Series | MXP120A | |
| Package Type | TO-247AD | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 250mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Forward Voltage Vf | 4.7V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 109W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 5.21mm | |
| Width | 16.13mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 23.6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 61A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Series MXP120A | ||
Package Type TO-247AD | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 250mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Forward Voltage Vf 4.7V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 109W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 5.21mm | ||
Width 16.13mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 23.6mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay N-Channel MOSFETs is designed for efficient switching applications, ensuring reliable operation in demanding environments.
Fast switching speed enhances system efficiency
Short circuit withstand time of 2.5 μs increases device reliability
Maximum power dissipation rating of 85 W supports high-performance applications
Drain-source voltage capability of 1200 V provides robust operation
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay MXP120A N channel-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247AD MXP120A160SL-GE3
- Vishay MXP120A N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247AD 3L
- Vishay MXP120A N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247AD 3L MXP120A080FW-GE3
- Nexperia N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK PSMN011-60MSX
- IXYS HiperFET 61 A 4-Pin SOT-227 IXFN64N50P
- IXYS HiperFET 61 A 4-Pin SOT-227
- Vishay SIHH N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH085N60EF-T1GE3
- Vishay SIHH N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH250N60EF-T1GE3