Vishay TrenchFET N-Channel Single MOSFETs, 2.5 A, 20 V Enhancement Mode, 6-Pin TSOP-6 SI3552BDV-T1-GE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB8.89

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB9.51

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 กันยายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 24THB8.89
25 - 99THB8.45
100 - 499THB8.03
500 +THB7.63

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
847-934
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI3552BDV-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

2.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

TSOP-6

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.200Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.15W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.1nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.90mm

Standards/Approvals

RoHS3 Compliant

Height

1mm

Width

1.60mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay power MOSFET combines both N- and P-channel functionalities for efficient performance in various applications. This device maximises power efficiency while maintaining reliability in Compact spaces.

TrenchFET technology ensures low on-resistance for better efficiency

Offers a maximum drain-source voltage of 30 V for N-channel and -30 V for P-channel

Continuous drain current rated at up to 3.7 A for reliable operation

Leads are halogen-free, promoting environmental sustainability

Features a Compact TSOP-6 package for space-saving designs

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง