Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET, 134 A, 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB068N20NM6ATMA1
- RS Stock No.:
- 349-400
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB068N20NM6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB349.34
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB373.79
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB349.34 |
| 10 - 99 | THB314.20 |
| 100 - 499 | THB289.96 |
| 500 - 999 | THB269.18 |
| 1000 + | THB240.97 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-400
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB068N20NM6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 134A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | PG-TO263-3 | |
| Series | OptiMOS-TM6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 73nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 134A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type PG-TO263-3 | ||
Series OptiMOS-TM6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 73nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 200 V is an N-channel, normal level MOSFET designed for high efficiency power applications. It offers very low on resistance (RDS(on)), ensuring minimal conduction losses. With an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), it delivers superior switching performance. This MOSFET also features very low reverse recovery charge (Qrr), enhancing overall efficiency.
Pb free lead plating
RoHS compliant
Halogen free according to IEC61249-2-21
MSL 1 classified according to J-STD-020
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB339N20NM6ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 10-Pin PG-LHDSO-10-3 IAUCN04S6N007TATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH36N04NM6ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 10-Pin PG-LHDSO-10-1 IAUCN04S6N013TATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 10-Pin PG-LHDSO-10-2 IAUCN04S6N009TATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 10-Pin PG-LHDSO-10-1 IAUCN04S6N017TATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3