STMicroelectronics Sct N channel-Channel Power MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3-7

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB629.54

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB673.61

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 300 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 13 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 4THB629.54
5 +THB610.48

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
719-465
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCT018H65G3-7
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

Sct

Package Type

H2PAK-7

Mount Type

Through Hole

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

20mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

2.6V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

79.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

385W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

15.25mm

Height

4.8mm

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

Very fast and robust intrinsic body diode

Very low RDS(on) over the entire temperature range

High speed switching performances

Source sensing pin for increased efficiency

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง