STMicroelectronics Sct N channel-Channel Power MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3-7

RS Stock No.:: 719-465
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCT018H65G3-7
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics Sct N channel-Channel Power MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3-7

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB572.31

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB612.37

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

300 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 4	THB572.31
5 +	THB554.98

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Channel Type	N channel
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	H2PAK-7
	Series	Sct
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	20mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	2.6V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	79.4nC
	Maximum Power Dissipation Pd	385W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	4.8mm
	Width	10.4 mm
	Length	15.25mm

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Channel Type N channel
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type H2PAK-7
	Series Sct
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 20mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 2.6V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 79.4nC
	Maximum Power Dissipation Pd 385W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 4.8mm
	Width 10.4 mm
	Length 15.25mm